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可控硅元件失控的三个原因
来看造成可控硅元件失去控制的原因，那就是可控硅的正向阻断力降低。在平时的应用中，如果可控硅长时间不用，而同时又因为密封不好的缘故受潮，那么可控硅元件正向阻断能力是很轻易降低的，可控硅元件的正向阻断能力降低到低于整流变压器的二次电压，硅元件就不要等触发脉冲到来就会自然的导通，导致脉冲控制不会起作用，输出的电压波形是1个正半波，使得励磁电压提升。
与铝合金相比，钛及钛合金具有质量轻、自然条件下稳定性好等优点，但也存在导电、导热性差、不耐磨、对氢及热盐应力腐蚀敏感等缺点，因此需要进行必要的表面处理，才能发挥其优势作用，阳极氧化是常见的表面处理方法，但要实现较厚的膜层，更快的氧化速度，就要选择脉冲阳极氧化。
传统的电镀抑制副作用的产生、改善电流分布、调节液相传质过程、控制结晶取向显得毫无作用,面对络合剂和添加剂的研究成了电镀工艺研究的主要方向。纳米开关电源解决了传统电镀整流器存在的缺陷。
1、 改善结合力,使钝化膜击穿,有利于基体与镀层之间牢固的结合。
2、 改善覆盖能力和分散能力,高的阴极负电位使普通电镀中钝化的部位也能沉积,减缓形态复杂零件的部位由于沉积离子过度消耗而带来的“烧焦”“树枝状”沉积的缺陷,对于获得一个给定特性镀层(如颜色、无孔隙等)的厚度可减少到原来1/3~1/2,节省原材料。
3、 电镀整流器降低镀层的内应力,改善晶格缺陷、杂质、空洞、瘤子等,容易得到无裂纹的镀层,减少添加剂。
4、 有利于获得成份稳定的合金镀层。
5、 改善阳极的溶解,不需阳极活化剂。
6、 改进镀层的机械物理性能,如提高密度降低表面电阻和体电阻,提高韧性、耐磨性、抗蚀性而且可以控制镀层硬度。
7、 电镀整流器能够降低孔隙率,晶核的形成速度大于成长速度,促使晶核细化。
