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140DDI35300 内置多层缓存
CPU 从不直接访问 RAM。现代 CPU 有一层或多层缓存。CPU 执行计算的能力比 RAM 向 CPU 提供数据的能力要快得多。其原因超出了本文的范围，但我将在下一篇文章中进一步探讨。

高速缓存比系统 RAM 更快，并且更接近 CPU，因为它位于处理器芯片上。高速缓存提供数据存储和指令，以防止 CPU 等待从 RAM 中检索数据。当 CPU 需要数据时——程序指令也被认为是数据——缓存会判断数据是否已经驻留并将其提供给 CPU。

如果请求的数据不在缓存中，它会从 RAM 中检索并使用预测算法将更多数据从 RAM 移动到缓存中。缓存控制器分析请求的数据并尝试预测需要从 RAM 中获取哪些额外数据。它将预期的数据加载到缓存中。通过将一些数据保存在比 RAM 更快的高速缓存中更靠近 CPU，CPU 可以保持忙碌状态，而不会浪费等待数据的周期。

我们的简单 CPU 具有三级缓存。第 2 级和第 3 级旨在预测接下来需要哪些数据和程序指令，将数据从 RAM 中移出，并将其移至更靠近 CPU 的位置，以便在需要时准备就绪。这些缓存大小通常在 1 MB 到 32 MB 之间，具体取决于处理器的速度和预期用途。

假设计算机已收到从内存位置 10 读取数据的指令。为执行读取操作，140CPU65260该CPU 将 R/W 线提升到高电平以激活内存电路，为读取操作做准备。几乎同时，位置 10 的地址被放置在 AB 上。16位二进制（0000 0000 0000 1010）中的数字10被发送到AB中的内存中。10对应的二进制电信号操作内存中的特定电路，使该位置的二进制数据被放置到DB中。CPU 有一个内部寄存器，在读取操作期间被激活以接收和存储数据。然后CPU根据相关指令在下一个运行周期中处理数据。

每当 CPU 将数据从其内部寄存器之一发送到内存时，就会执行类似的操作，这是一种“写”操作。在这种情况下，R/W 线将设置为与读取操作相反的逻辑电平（即本例中的低电平）。写操作时，将要发送的数据放在DB中，同时目的地址放在AB中。此操作会将数据从 CPU 源位置传输到目标位置，目标位置可以是RAM中的内存位置，也可以是外部设备

TRICONEX 的 MA2211-100 I/O 主要特性
通过 PCIe 协议的互操作性
MA2211-100 I/O 通过 Premio 的专有引脚设计进行设计，可轻松集成到兼容的 Premio 系统中，并且可以互换以获得更优化的配置。通过标准化的PCIe 协议，EDGEboost I/O 模块直接插入兼容 Premio 产品中的 EDGEboost 支架，允许中央系统与其连接的设备之间进行无缝通信。EDGEBoost I/O 模块能够支持新的变革性技术，例如 M.2 NVMe 存储和 M.2 AI 加速器，以实现实时推理功能。

模块化和可扩展性
MA2211-100 I/O 利用模块化设计为具有高度化要求的 IIoT 部署提供更高的 I/O 兼容性和可扩展性灵活性。这使系统集成商和原始设备制造商能够围绕其 I/O 要求配置工业计算机，而不受限于板载可用的固定 I/O。

坚固，适用于恶劣环境
TRICONEX 的 MA2211-100 I/O 模块专为承受恶劣的环境而设计，其设计适用于坚固的系统。该模块可耐受极端温度、湿度和冲击/振动，以确保安全可靠的连接。每个模块都经过机械和电气设计，可直接利用加固外壳的被动冷却设计。