动压活塞杆位置监测器317-2AJ12CPU317SE

动压活塞杆位置监测器  317-2AJ12 CPU317SE

动压活塞杆位置监测器  317-2AJ12 CPU317SE 

动压活塞杆位置监测器  317-2AJ12 CPU317SE 

电牵引技术的不断发展要求电力电子器件具有更高的功率密度、更高的工作温度、更小的功率损耗、更快的开关速度。以硅（Silicon-Si）材料为基础的电力电子器件因大功率场效应晶体管（功率MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等新型电力电子器件的应用而日趋成熟。随着器件结构设计及制造工艺的完善，当前器件的性能已经接近Si材料的理论极限。目前，以碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体电力电子器件已经实现商品化，在牵域表现出的潜力。

SiC材料较大的禁带宽度（3.26eV）使其相比于Si材料（1.12eV）具有很大的优势：本征载流子浓度低20个数量级，临界击穿电场高10倍，热导率高3倍，电子饱和漂移速率高1倍等。这些特性使得SiC电力电子器件在高温、高频及阻断电压等方面突破Si材料的极限。

目前，SiC电力电子器件已经在600V-1700V中低压领域实现了产业化，Cree、Rohm、Infineon等公司可批量供应大电流50A的SiC SBD及MOSFET产品，其应用已显著提高系统工作频率及整机效率。高压SiC器件早在2003年已有报道，然而受晶体质量及相关工艺限制，其产业正在发展中。机车牵引、高压直流输变电等领域目前正小批量试用高压SiC器件，系统性能提升明显。

我国高铁建设目前已拥有世界水平，但牵引用SiC电力电子器件及应用尚处于初期阶段。2013年开始，中国中车永济电机及株洲时代电气开始进行SiC器件封装及应用研究，希望通过应用推动整个SiC电力电子产业链的发展，追赶国外技术的脚步。

2 SiC电力电子器件

SiC器件在高阻断电压下依然有很小的导通电阻，因此SiC器件的研究开始集中在肖特基势垒二极管（SBD）、MOSFET等少数载流子器件上。

2.1 SiC SBD

SiC SBD为单极性器件，没有少数载流子的注入及自由电荷的存储，具有几乎理想的反向恢复特性，适合在高压、高频及高温条件下工作。

由于高压下SiC肖特基势垒比Si薄，进一步提高SiC SBD的反向电压会受到隧穿势垒引起的反向漏电流限制。为了充分发挥SiC临界击穿电场高的优势，通常采用JBS、MPS等结构降低肖特基接触处电场强度，获得了较好的器件特性。

SiC SBD是发展为成熟的SiC电力电子器件，适用于600V-3300V阻断电压范围。Cree、Rohm、Microsemi、Infineon等公司SiC SBD已经应用于变频或者逆变装置中替换Si基快恢复二极管，显著提高了工作频率和整机效率。然而由于SiC开关器件发展的相对滞后，因此目前在牵引、工业变频等领域的普遍做法是将SiC SBD和Si IGBT芯片封装在一起以形成大功率开关器件，以降低器件开关损耗。

2.2 SiC MOSFET

SiC是具有热氧化层的宽禁带半导体材料，因此可以直接借鉴Si 基MOSFET的设计、制造经验和生产设备。同时，SiC MOSFET与现有Si基MOSFET、IGBT驱动电路兼容，因此SiC MOSFET是发展快的开关器件。

SiC MOSFET早期发展存在一些问题，如沟道迁移率低和栅氧化层可靠性问题。目前，迁移率问题通过埋沟、高温气氛氧化等设计、工艺技术得到基本解决。可靠性方面，350°C下栅氧化层依旧具有良好的可靠性，目前已经不是限制SiC MOSFET发展的瓶颈。

2012年，日本Rohm公司通过优化工艺条件及器件结构，改善了晶体质量，实现了SiC SBD与SiC MOSFET一体化封装，解决了1200V级别逆变器中使用Si IGBT及FRD（快恢复二极管）而导致功率转换损耗较大的问题。该产品在降低器件工作损耗70%以上的同时还实现了100kHz以上更高的工作频率，推动了外围部件小型化的发展。预计在今后5-10年时间，SiC MOSFET将替代Si IGBT成为主流电力电子开关器件。

2.3 SiC JFET

由于SiC MOSFET结构存在的不特性，使得同样为单级性开关器件的SiC JFET（结型场效应晶体管）受到了重视，并与SBD、MOSFET率先实现了商业化。SiC JFET还具有阈值电压随温度稳定性好、高温可靠性高等优点，是目前发展较快的SiC开关器件。

然而栅极P-N结工作方式的特点对器件应用也带来了很多不利的影响，如常通型、高米勒电容（Miller Capacitor）效应、高负栅关断电压等问题。这使得SiC JFET不能直接替代Si MOSFET及IGBT，使用时需要对驱动电路作出相应的调整，以器件安全可靠的工作。

目前，SiC JFET器件已经实现一定程度的产业化，主要以Infineon、SiCED及Semisouth公司的产品为主。产品电压等级在600V、1200V、1700V，单管电流高达20A，模块电流等级达到100A以上。2013年，Rockwell 公司采用600V/SiC增强型JFET以及SiC SBD并联制作了2三相电机驱动模块，与当时的Si IGBT模块相比较，同等功率下芯片面积减少40%，同时损耗及开关过电压、过电流问题降低明显。

承诺一：1、全新原装进口

承诺二：2、准时发货

承诺三：3、售后服务质量

流程一：1、客户确认所需采购产品型号

流程二：2、我方会根据询价单型号查询价格以及交货期，拟一份详细正规报价单

流程三：3，客户收到报价单并确认型号无误后订购产品

流程四：4、报价单负责人根据客户提供型号以及数量拟份销售合同

流程五：5、客户收到合同查阅同意后盖章回传并按照合同销售额汇款到公司开户行

流程六：6、我公司财务查到款后，业务员安排发货并通知客户跟踪运单
Siemens ThyssenKrupp 72DV787AF3 
FUJI ELECTRIC CP32 FM/02 
FUJI ELECTRIC CP32 FM/05 
Cisco DMP 4400 4GB Digital Media Player DMP-4400G-54-K9
Tesla Model X Drive Shaft CV Axle Front Left 1027111-00-B
YAMATAKE Honeywell MX100PT12 32PT H01
IDEC SmartAxis Lite FT1A 48 I/O Controller FT1A-B48KC
Adaptec ASC-39320D/NETAPP
TESLA MODEL 3 STEERING WHEEL COLUMN CLOCK SPRING & SWITCHES OEM 1097662-00-K
Juniper Ethernet 1000BASE-SX-B 
IDEC FT1A SmartAxis Pro 48 I/O PLC FT1A-H48KC 
PCLD-881B Wiring Terminal Board for PCI-1713 & PCL-813L
TESLA MODEL 3 RIGHT PASSENGER TAIL LIGHT 1077398-00-E OEM
Johnson Controls PCV1615
BACKPLANE BOARD ATX6022/14GP7
Tesla Model 3 Windshield Washer Bottle Tank Reservoir & Pump 1090850-00-F
VOX NEVO+600S-3320-648 
FUJI ELECTRIC CP32 FM/15 
RADIO FM/HD CONTROL MODULE UNIT HARMAN OEM 1079749-00-D
Tesla Model S X Parking Sensor 1048473-00-A
LUMEN DYNAMICS 012-66000R 
SONY XC-ES30CE 
STEEL LEVEL-IT LEVELER BSW-100 STUD 5/16-18X2
Barksdale D1X Explosion-Proof Diaphragm Pressure Switch D1X-A80SS-UL
Single jet DLJSJ50
Instruments UFC-1400A 
Elektronik ZE 25 5V-LD-25X
JUNIPER Channelized 4 Port DS-3 Physical Interface Card PIC Module P-4CHDS3