关键词 |
定制晶圆理片器,晶圆理片器槽口对准器,济南晶圆理片器,晶圆理片器晶圆寻边器 |
面向地区 |
全国 |
内圆切割时晶片表层损害层大,给CMP产生挺大黔削抛光工作中;刃口宽。材料损害大。品片出率低;成木高。生产效率低;每一次只有切割一片。当晶圆直径达到300mm时。内圆刀头外径将达到1.18m。内径为410mm。在生产制造、安装与调节上产生许多艰难。故后期主要发展趋势线切别主导的晶圆切割技术。
硅圆片切割应用的目的是将产量和合格率大,同时资产拥有的成本小。可是,挑战是增加的产量经常减少合格率,反之亦然。晶圆基板进给到切割刀片的速度决定产出。随着进给速度增加,切割品质变得更加难以维持在可接受的工艺窗口内。进给速度也影响刀片寿命。
在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度,要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是,选择尽可能薄的刀片。可是,很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的,更容易过早破裂和磨损。结果,其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76µm迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。
为了接收今天新的切片挑战,切片系统与刀片之间的协作是必要的。对于(high-end)应用特别如此。刀片在工艺优化中起主要的作用。为了接纳所有来自于迅速的技术发展的新的切片要求,今天可以买到各种各样的刀片。这使得为正确的工艺选择正确的刀片成为一个比以前更加复杂的任务。
切割参数对材料清除率有直接关系,它反过来影响刀片的性能和工艺效率。对于一个工艺为了优化刀片,设计试验方法(DOE, designed experiment)可减少所需试验的次数,并提供刀片特性与工艺参数的结合效果。另外,设计试验方法(DOE)的统计分析使得可以对有用信息的推断,以建议达到甚至更高产出和/或更低资产拥有成本的进一步工艺优化。
一种全自动晶圆划片机,包括机架,机架的一侧设置有激光器,激光器的下方设置有旋转划片工作台,其特征在于:机架的另一侧设置有自动放收料装置,自动放收料装置的旁侧设置有理料机构,自动放收料装置与理料机构之间连接有夹料机械手,理料机构与划片工作台之间设置有两组相互错位的吸料机械手。
苏州硕世微电子有限公司成立于2013年,是一家立志于服务中国泛半导体行业“半导体、LED、液晶面板、光伏”等的供应制造商,主要产品包括Wafer Aligner 晶圆寻边器、Wafer Transfer 晶圆转换器、Wafer Cassette 晶圆载具、Machined parts 机加工零件、Fitting Assembly 装配总成等产品。我们一贯秉承诚实、守信的原则,为广大客户提供,放心的产品及服务。
- 我们始终坚持以客户需求为导向的自主创新,期待能与广大客户形成良好的战略合作关系。
- 关于产品与服务,如果您有任何需求与建议,敬请随时联系我们!非常感谢