位移监测器1746-P1

位移监测器  1746-P1

位移监测器  1746-P1

位移监测器  1746-P1

B&R Mobile Panel 5MP181.0843-07 
Omron Monitor F150-M05L 
Bosch SM 17/35 047820-305 
Siemens S7 200 6ES7 291-8GD00-0XA0 
Visolux LS 500-DA-IBS/F2 
Moeller PKZ2 NHI 11-PKZ 2 + ZM-32-8-PKZ2 + RS-PKZ 2 + U-PKZ2
Siemens Simatic 6ES7 360-3AA01-0AA0 
LUST LTI Inverter Drive CDA32.008 
Siemens 6SL3544-0FA21-1FB0
EMOD Getriebemotor ECB71/63-70-SK12063AD 
Mannesmann Rexroth VT-3002-20/48 
EUCHNER CES-A-ABA-01 071850
Siemens Simodrive 6SN1123-1AA00-0CA1 
SEW Eurodrive MDF60A0022-3-4-00 
Siemens 6AV6647-0AK11-3AX0 
Siemens SMP-E347-A1 C8451-A13-A42 
Siemens 300 6ES7 322-1FF01-0AA0 
Siemens  6ES6400-0BP00-0AA0
FANUC A06B-6058-H025 F4900004-B Servo amplifier A20B-1003-0090/02
Lenze i700 E70ACPSE0304S 
SEW Movidyn MPR51A015-503-00
Beckhoff KL6001 Klemme RS232C
Omron Yaskawa Servopack Servo Drive SGDS-04A12A 
Siemens ET 200S 6ES7 151-1BA02-0AB0 6ES7151-1BA02-0AB0
Lenze Vector 8200 E82EV113K4C E82EV113_4C
Siemens 6ES7 134-4FB01-0AB0
ENDRESS + HAUSER LIQUIPOINT T FTW31-B1Y9AA2A
ABB Extension 4 Analog Inputs 2 Analog Outputs XM06B5-H11.0
Siemens Simatic 6ES7742-0AC00-0AA0 

光刻技术，顾名思义就是一种用光刻印的技术，它广泛应用于半导体制造行业以及许多其他纳米技术应用中；为适应当今微电子产品日趋微型化的趋势，相关应用领域越来越需要具备高生产能力的光刻设备。

本文探讨了位置反馈技术在现代光刻工艺中的应用，以及新光栅系统和传统激光尺系统各自的优势与潜能，这些特性为机器设计 的灵活性，使其能够探索如何在不影响性能的前提下大程度地减少光刻设备的占地面积。

半导体制造

在光刻工艺中，通常在硅晶圆上沉积一层光敏性光致抗蚀剂材料（光刻胶）。然后，光束通过光掩模照射到晶圆上，以将掩模图形呈现在光刻胶上，再使用显影剂溶解掉经过曝光的光刻胶区域。后，选择性地在晶圆表面上的裸露区域内进行蚀刻或填充半导体、导电或绝缘材料。通过这种方式，便可构建出所需的多个微电子特征层（通常要进行大约30次光刻流程）（参见图1）。

图1：显微镜下的硅晶圆

浸没式扫描光刻机包含一套透镜系统，用于使光束穿过光掩模或"中间掩模"聚焦到半导体晶圆上。它还含有一组密封元件，可在物镜和半导体衬底之间封入一定体积的液体，由于液体的光线折射率空气，因此可以获得更高的光学分辨率和更小的特征尺寸。

在浸没扫描中，光束保持固定，而由于透镜的倒置效应，光掩模和晶圆需沿相反方向运动。这需要将位置反馈到光掩模和晶圆运动平台上的控制致动器，以实现的运动控制。可使光源以一定频率闪烁，以便每次曝光晶圆上的不同区域。

光掩模与晶圆衬底对准，使得每片掩模上的图案均可刻画到已经存在的蚀刻图形层上。这一步骤是制造集成电路(IC)的关键：晶圆和光掩模上的基准点自动对准，误差范围小于±20nm，具体取决于IC的特征尺寸，并修正X、Y和θ（旋转）方向上的偏置。

每个平台的长距离增量式测量系统上都需使用直线光栅，以确保位置和速度都达到的精度。光栅反馈使中间掩模和晶圆平台能够串联工作，实现以要求的覆盖精度执行计划扫描轨迹。激光尺和一些的光栅可以满足这一半导体制造工艺的苛刻精度要求，例如雷尼绍的新光栅VIONiC系列，其电子细分误差低至<±15nm。

《厦门仲鑫达自动化设备有限公司》

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