PSMU-350-3CPCIAC-6U-500冗余8通道

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厦门阿米控技术有限公司

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缩小充电电池尺寸有助于减小选用无线感应充电电路的植入式设备的体积。无线感应充电器可为设备上装置的微小薄膜(如CymbetEnerChip)充电式储能器材安全地充电。感应充电器选用了并联LC(电感、电容)谐振储能电路的作业原理。图1所示为Cymbet公司的CBC-EVAL-11RF感应充电器评价套件。

　　Vishay595D系列1000uF钽电容被用作Cymbet接纳电路板的C5电容，为无线电发射等负载提供脉冲电流。此款感应充电器的输入与输出之间具有良好的阻隔，这是医用设备的重要要求。

　　在一些电压较高的感应充电器使用中，需求选用高压安稳的电容作为谐振电容。由于感应充电器的初级线圈需求选用交流电压驱动，因而有必要对电容进行相应的调整。感应充电器需求具有高击穿电压(VBD)功能，一起，某些使用中还需求防护高压电弧放电。为避免电弧放电，电路板一般敷有维护涂层，或者经过合理安排元器材布局到达高压侧与电路板其他部分阻隔的效果，等。但这种方法往往需求很大的电路板空间，由于高压电路一般选用体积较大的引线型通孔插装电容。

　　高压电弧防护电容处理方案

　　为处理这一问题，Vishay推出了一系列的HVArc(高压电弧)防护MLCC(多层贴片陶瓷电容)，可防止电弧放电，一起节约空间。这些新器材在较高的电压定额内具有大容量，而且进步了电压击穿的耐受才能。高压电弧放电会造成断路，并有可能损坏其他元器材。标准的高压SMD电容终究将会失效短路，这取决于电弧放电的次数和存在问题的部分。VishayHVArc防护电容能够吸收所有的能量，因而，此电容能够在高压下进行正常作业，至少在到达高压击穿极限之前，不会发生破坏性电弧放电。

　　HVArc防护电容的VBD分布由器材选用的特规划来操控，VBD可达3kV或以上。本产品选用了NPO和X7R电介质。

　　用于MRI的新式无磁电容

　　磁共振成像(MRI)设备内部或周边电路中所运用的电容及其他电子元器材需求屏蔽或封装在MRI室外。电容的电介质、电极材料或端接材猜中可能含有铁质或磁性材料。为进步图像分辨率，MRI体系的磁场水平不断进步，而MRI室内运用的电容会造成磁场畸变。因而，需求削减或消除大部分电容中的磁性材料。

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